IT之家4月8日报道，据美国政府官方声明，台积电已与美国商务部达成不具约束力的初步谅解备忘录。
台积电将在亚利桑那州菲尼克斯建设其第三座美国晶圆厂，美国政府将在《芯片法案》项下向台积电的三座晶圆厂提供高达66亿美元的直接财政补贴。
除了直接补贴外，美国政府还计划根据初步协议为台积电晶圆厂建设提供约50亿美元贷款。
台积电还准备向美国财政部申请相当于经认证资本支出25%的投资税收抵免。
台积电承诺在本十年末建造第三座晶圆厂，在亚利桑那州打造尖端半导体集群。
台积电在美国的整体投资将超过650亿美元，十年内将为亚利桑那州创造个直接就业岗位和数万个间接就业岗位，此外还将创造总计超过2万个相关建筑行业就业岗位。
美国还计划使用《芯片法案》资金中的万美元用于培训和发展当地建筑和半导体行业劳动力。
台积电表示，其首座美国晶圆厂将提供4nmFinFET产能，目标于年上半年开始量产；而其第二家美国晶圆厂除了3纳米工艺外，还将引入2纳米GAA工艺；未来第三座晶圆厂将根据用户需求提供2nm或更先进的工艺。
英特尔此前与美国商务部签署了类似的谅解备忘录，涉及高达85亿美元的直接补贴和110亿美元的贷款。